Solution fiable performante de gestion de puissance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SQJ872EP-T1_GE3

Solution fiable performante de gestion de puissance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SQJ872EP-T1_GE3

Caractéristiques :

• Basse Sur-résistance
• Basse charge de porte
• Basse capacité de sortie
• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
• Basse capacité d'entrée
• Avalanche évaluée

Paramètres :

• Tension de Drain-source : 600V

• Courant continu de drain : 8.2A

• Sur-résistance de Drain-source : 0.66ohm

• Tension de Porte-source : ±20V

• Dissipation de puissance : 1.2W

• Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

• Montage du type : Par le trou

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