Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Haute SIHW30N60E-GE3
Transistor MOSFET de la Manche de la représentation 30A 600V N pour l'électronique de puissance
Caractéristiques du produit :
Commutation à hauteur de vitesse
- Basse charge de porte
- Basse Sur-résistance
- Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET
- Excellent produit de la charge X le RDS de porte (dessus)
Spécifications techniques :
- Tension de Drain-source : 600V
- Continu vidangez le courant : 30A
- Pulsé vidangez actuel : 175A
- Résistance de Sur-état : 0,0665 Ω
- Tension maximum de seuil de porte : 4V
- Tension maximum de Porte-source : 20V
- Résistance maximum de Sur-état de source de drain : 0,0665 Ω
- Type de paquet : TO-220-3
- Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à 175°C
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