Voici une liste de descriptions de produit pour le transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFR1018ETRPBF :
- Commutation à haute efficacité : Ce transistor de transistor MOSFET est conçu pour l'usage dans les applications de changement à haute efficacité, le rendant idéal pour l'usage dans des alimentations d'énergie et d'autres appareils électroniques.
- Le bas RDS (dessus) : Avec une basse sur-résistance (le RDS (dessus)) juste de 10mOhms, ce transistor offre de basses pertes de conduction et rendement élevé.
- Conception robuste : L'IRFR1018ETRPBF comporte une conception rocailleuse et fiable qui est capable de résister à des hauts niveaux de contrainte électrique et thermique.
- Vitesse de changement rapide : La vitesse de changement rapide de ce transistor s'assure qu'elle peut répondre rapidement aux changements des signaux d'entrée, la rendant idéale pour l'usage dans les applications qui exigent la commutation rapide.
- Paquet extérieur de bâti : Ce transistor est logé dans un paquet extérieur de bâti, le rendant facile à intégrer dans un grand choix de conceptions électroniques.
- Basse charge de porte : Avec une basse charge de porte juste de 27nC, ce transistor peut être conduit facilement par une gamme des circuits d'entraînement de porte.
- Gamme à hautes températures : L'IRFR1018ETRPBF peut fonctionner aux températures jusqu'à 175°C, la rendant appropriée pour l'usage dans les environnements à hautes températures.
- Sans plomb et RoHS conformes : Ce transistor est sans plomb et RoHS conforme, le rendant favorable à l'environnement et sûr pour employer dans un grand choix d'applications.
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