Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Puissance élevée de transistor MOSFET d'IXTQ130N10T
Bas sur la résistance et la basse tension de seuil de porte pour des performances optimales
Caractéristiques du produit :
- Transistor MOSFET de N-canal
- Tension : 100V
- Le RDS (dessus) : 0,01 ohms
- Identification : 130A
- Paquet : TO-247
Description de produit :
L'IXYS IXTQ130N10T est un transistor MOSFET de N-canal avec une tension maximum de source de drain de 100V et un courant maximum de drain de 130A. Ce dispositif offre un bas RDS (dessus) de 0,01 ohms et est logé dans un paquet TO-247. Il est conçu pour l'usage dans diverses applications telles que le contrôle de moteur, la gestion de puissance, et d'autres applications d'alimentation d'énergie.
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