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Transistors MOSFET performants fiables de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLU024NPBF pour la gestion de puissance
Description :
L'IRL
U024NPBF est un transistor MOSFET de N-canal de redresseur international. C'est un FET de niveau de logique approprié aux applications de changement et d'amplificateur.
Caractéristiques :
• FET de niveau de logique
• N-canal
• Basse Sur-résistance
• Commutation rapide
• Estimation à haute tension
• Basse charge de porte
Caractéristiques :
• Tension de Drain-source (VDS) : 30 V
• Résistance de Sur-état de Drain-source (le RDS) : 0,024 Ω
• Courant continu de drain (identification) : 28 A
• Dissipation de puissance (palladium) : 81 W
• Tension de Porte-source (VGS) : 5 V
• Température de fonctionnement maximum (TJ) : °C 150
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