Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Commutation de basse tension de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET SQD50P06-15L-GE3

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Commutation de basse tension de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET SQD50P06-15L-GE3

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Number modèle :SQD50P06-15L-GE3
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de paquet :TO-220
Tension :50V
Actuel :15A
Polarité :N-canal
Dissipation de puissance :78W
Montage du type :Par le trou
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Commutation de basse tension de la haute performance SQD50P06-15L-GE3

 

 

Le SQD 50P06- 15le transistor MOSFET deL-GE 3 est une haute performance, basse sur-résistance, la basse charge de porte, transistor MOSFET de basse tension. Il convient aux applications à haute fréquence, telles que des téléphones portables, des ordinateurs portables, et l'électronique automobile. Ce dispositif comporte une basse sur-résistance de 0,06 ohms, d'une tension claque de 15V, et d'une charge de porte de 15OR. Il offre également l'excellente représentation thermique et la basse résistance de porte. Ce dispositif est RoHS conforme et sans plomb.

 

Type de paquet : TO-220

Tension : 50V

Actuel : 15A

Polarité : N-canal

Dissipation de puissance : 78W

Type de FET : Mode d'amélioration

Montage du type : Par le trou

Temps de montée : 21ns

Temps de chute : 17ns

Fabricant : SQD

 

 

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Commutation de basse tension de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET SQD50P06-15L-GE3

 

 

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