Commutation fiable de puissance de haute performance de transistor de puissance de transistor MOSFET d'IRFB4620PBF

Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IRFB 4620 PBF

Commutation fiable de puissance de haute performance

Caractéristiques :

• tension de la Drain-source 200V (VDS)

• courant continu du drain 8.9A (identification) à 25°C

• courant continu du drain 12.3A (identification) à 100°C

• courant pulsé maximum du drain 74A (IDM)

• résistance maximum de Sur-état de la Drain-source 2.1Ω (le RDS (dessus)) à 10V

• courant maximum de l'avalanche 175A (IAR)

• énergie maximum de l'avalanche 175A (EAS)

• -55°C à la température de jonction 175°C de fonctionnement (Tj)

• Basse charge de porte pour la commutation rapide

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