Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFP2907PBF MOSFET canal N hautes performances pour les applications d'électronique de puissance

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IRFP2907PBF MOSFET canal N hautes performances pour les applications d'électronique de puissance

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Number modèle :IRFP2907PBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :75V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :209A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :4.5mOhm @ 125A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :620 OR @ 10 V
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IRFP2907PBF MOSFET canal N hautes performances pour les applications d'électronique de puissance

MOSFET IRFP2907PBF

Ce MOSFET est un MOSFET à canal N haute puissance et basse tension avec une tension drain-source de 100 V et un courant de drain de 19 A.Il a une vitesse de commutation rapide et une faible tension de seuil grille-source.Il présente également une bonne stabilité thermique, d'excellentes performances en fréquence et un boîtier robuste.Ce MOSFET convient aux applications à haute puissance telles que la commutation de puissance, les amplificateurs audio et la commande de moteur.

Paramètres:
- Tension drain-source : 100 V
- Courant de vidange : 19 A
- Vitesse de commutation : Rapide
- Tension de seuil porte-source : faible
- Stabilité thermique : Bonne
- Performances en fréquence : excellentes
- Emballage : Robuste

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