Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRF135S203 MOSFET haute puissance de sortie et faible résistance à l'état passant pour des performances améliorées

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IRF135S203 MOSFET haute puissance de sortie et faible résistance à l'état passant pour des performances améliorées

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Number modèle :IRF135S203
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :135 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :129A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :8.4mOhm @ 77A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :270 OR @ 10 V
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IRF135S203 MOSFET haute puissance de sortie et faible résistance à l'état passant pour des performances améliorées

Nom du produit : MOSFET IRF135S203

Description du produit:

L'IRF135S203 est un MOSFET haute performance conçu pour être utilisé dans une grande variété d'applications.Ce dispositif est un transistor de type enrichissement à canal N avec une faible résistance à l'état passant et une tension de claquage élevée.Il présente une faible capacité de grille, une faible tension de seuil et une vitesse de commutation élevée.Il est conçu pour être utilisé dans les alimentations, la commande de moteur et d'autres applications de commutation haute fréquence.

Spécifications du produit:

Tension : 200 V

Courant de vidange : 8 A

Résistance drain-source à l'état passant : 83 mΩ

Tension de seuil de porte : 2 V

Capacité porte-source : 8,2 pF

Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à 150 °C

Paquet: TO-220

Fabricant : Infineon Technologies

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