Sur-résistance de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFD110PBF basse et commutation rapide

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Paramètres de produitde transistor MOSFET d'IRFD 110PBF : Type : Transistor MOSFET Vdss de N-canal (maximum) : Identificationde 100V (maximum) : 11un RDS (dessus) (maximum) : 0,14 @Vgs de Ω = 10V Vgs (Th) (maximum) : 2,3 @Id de V de = paquet 250μA : TO-220FP comporte : Basse charge de porte, basse sur-résistance, et commutation rapide

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