Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Dispositif de l'électronique de puissance de haute performance de transistor MOSFET d'IRFR7446TRPBF pour l'efficacité maximum

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Dispositif de l'électronique de puissance de haute performance de transistor MOSFET d'IRFR7446TRPBF pour l'efficacité maximum

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Number modèle :IRFR7446TRPBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :40V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :56A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :3.9mOhm @ 56A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3.9V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :130 OR @ 10 V
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Haute de transistor MOSFET d'IRFR 7446 TRPBF

Dispositif de l'électronique de puissance de représentation pour l'efficacité maximum

 

Caractéristiques :

 

• transistor MOSFET du N-canal 100V
• Basse Sur-résistance
• Basse tension de seuil de porte
• Basse capacité de sortie
• Énergie élevée d'avalanche
• Commutation ultra-rapide
• Finition sans plomb/RoHS conforme
• Halogène et antimoine libres. Dispositif « vert » (note 1)
• Disponible dans un paquet TO-220

 

Capacités absolues :

 

• Tension de Drain-source : 100V
• Tension de Porte-source : ±20V
• Vidangez actuel : 16A
• Dissipation de puissance : 60W
• Température ambiante fonctionnante de jonction : -55°C à +150°C
• Température ambiante de température de stockage : -55°C à +150°C
• La température d'avance (soudure, 10sec) : 260°C

 

Caractéristiques thermiques :


• Jonction-à-cas de résistance thermique (RθJC) : 0.75°C/W
• Résistance thermique Jonction-à-ambiante (RθJA) : 40°C/W

Caractéristiques électriques (à 25

 

 

 

Pourquoi achat de nous rapidement de >>>/sans risque/commodément

 

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