Solution de commutation de basse tension de haute performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SI4401DDY-T1-GE3

SI4401 DDY-T 1- puissancede transistor MOSFET de GE3

Solution de commutation de basse tension de haute performance de l'électronique

Ce transistor MOSFET est un transistor performant, de basse tension, de basse puissance conçu pour l'usage dans un large éventail d'applications. Il a une basse charge de porte et une basse capacité de porte-à-drain et convient aux applications de changement à haute fréquence. Il comporte une basse sur-résistance et une basse tension de seuil. Ce transistor MOSFET montre également une opération à faible bruit, qui est salutaire pour des applications sensibles au bruit. C'est également RoHS conforme et disponible dans un paquet industriellement compatible.

• Tension de Drain-source : 100V
• Vidangez actuel : 44A
• Le RDS (dessus) : 0,02 Ω
• Tension de seuil de porte : 1.2V
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à 150°C
• Dissipation de puissance : 4.8W
• Montage du type : Bâti extérieur
• Paquet/cas : TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes)

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