Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solutions de changement de Haut-fiabilité performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF2805PBF

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Solutions de changement de Haut-fiabilité performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF2805PBF

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Number modèle :IRF2805PBF
Point d'origine :Mulit-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :Actif
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Nombre bas de produit :IRF2805PBF
Vidangez à la tension de source (Vdss) :55 V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :4.7mOhm @ 104A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :230 OR @ 10 V
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Liste de produit :

 

Transistor de transistor MOSFET d'IRF2805PBF

 

Le transistor de transistor MOSFET d'IRF2805PBF est un transistor d'effet de champ d'amélioration-mode de N-canal qui comporte une basse sur-résistance et une basse tension de seuil de porte-à-source. Ce dispositif est typiquement utilisé dans des applications de changement telles que le contrôle de moteur, les conducteurs de relais, et d'autres applications qui exigent la commutation à forte intensité.

 

Fonctionnalités clé :


• transistor d'effet de champ d'amélioration-mode de N-canal
• Basse sur-résistance
• Basse tension de seuil de porte-à-source
• Capacité de changement à forte intensité
• Gamme de température de fonctionnement -55°C à +150°C
• Courant maximum de drain : 55A
• Tension maximum de drain-source : 500V
• Tension maximum de porte-source : +/- 20V
• Dissipation de puissance maximum : 153W

Solutions de changement de Haut-fiabilité performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF2805PBF

 

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