Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Électronique de puissance MOSFET IPP65R190CFD FET hautes performances à haut rendement pour une alimentation améliorée

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Électronique de puissance MOSFET IPP65R190CFD FET hautes performances à haut rendement pour une alimentation améliorée

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Number modèle :IPP65R190CFD
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Tension maximum de source de drain (Vdss) :650V
Courant maximum de drain (identification) :190A
Le RDS (dessus) :0.66mΩ
Courant pulsé de drain (Idm) :378A
Tension de source de porte maximum (Vgss) :20V
Courant maximum de fuite de drain de porte (identification) :100nA
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Électronique de puissance MOSFET IPP65R190CFD FET hautes performances à haut rendement pour une alimentation améliorée

Nous sommes fiers de présenter le MOSFET IPP65R190CFD, un dispositif de puissance avancé avec les caractéristiques suivantes :

-Tension de source de drain maximale (Vdss): 650V
- Courant de drain maximal (Id) : 190 A
- RDS (activé) : 0,66 mΩ
- Courant de drain pulsé (Idm) : 378 A
-Tension de source de porte maximale (Vgss): 20V
- Courant de fuite de drain de grille maximal (Id) : 100 nA
- Dissipation de puissance maximale (Pd) : 550 W
- Colis : TO-247

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