Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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Commutation rapide de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLML6302TRPBF avec la basse Sur-résistance pour l'efficacité maximum

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Commutation rapide de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLML6302TRPBF avec la basse Sur-résistance pour l'efficacité maximum

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Number modèle :IRLML6302TRPBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :780mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :2.7V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :600mOhm @ 610mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :3,6 OR @ 4,45 V
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Commutation rapide de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLML6302TRPBF avec la basse Sur-résistance pour l'efficacité maximum

 

 

Caractéristiques du produit :

• Basse Sur-résistance : 2.6mΩ (VGS = 10 V)
• Commutation ultra-rapide : tonne = 7.0ns (VGS = 10 V)
• Basse capacité d'entrée : CISS = 21pF (VGS = 10 V)
• Énergie élevée d'avalanche : EAS = 5.8mJ (VGS = 10 V)
• Sans plomb/RoHS conforme
• Halogène libre/vert
• 100% UIL examiné
• Paquet : SOT-23
• Tension maximum de source de drain (VDSS) : 100V
• Tension de source de porte maximum (VGSS) : ±20V
• Courant continu maximum de drain (identification) : 0.6A
• Dissipation de puissance maximum (palladium) : 590mW

 

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