Transistor de basse tension de haute puissance de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

Ce transistor du transistor MOSFET IPD60R180P7SAUMA1 d'Infineon est un transistor MOSFET de puissance de N-canal

conçu pour l'usage dans la rectification synchrone à haute efficacité et les applications de changement à haute tension. Ce transistor MOSFET a un RDS (dessus) de 0.0015Ω, d'une identification de 60A et d'une estimation d'énergie d'avalanche de 8mJ.

Fonctionnalités clé :

• Transistor MOSFET de puissance de N-canal
• Le RDS (dessus) de 0.0015Ω
• Identification de 60A
• Estimation d'énergie d'avalanche de 8mJ
• RoHS conforme
• Sans Pb

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