L'électronique de puissance de transistor MOSFET de BSZ0909NS Transistors de commutation à haute efficacité de haute performance

Transistors de commutation à haute efficacité de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de BSZ0909NS

Caractéristiques :

- Transistor MOSFET de N-canal
- Tension : 100V
- Vidangez actuel : 6A
- Le RDS (dessus) : 0.36ohm
- Paquet : TO-252
- Dissipation de puissance maximum : 2.1W
- Température de fonctionnement : -55°C à 175°C

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