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Caractéristiques de transistor MOSFET de N-canaldu 5H DU MATIN 1de BSC 052N08NS d'Infineon :
• Basse Sur-résistance le RDS (dessus)
• Basse charge Qg de porte
• Basse tension en avant VF
• Facilité de la parallélisation
• Basse tension VGS (Th) de seuil
• Capacité augmentée de dv/dt
• Avalanche évaluée
• Sans halogène selon le CEI 61249 - 2- 21
• Caractéristiques conformes de RoHS
• Vidangez à la tension de source : 800 V
• Identification actuelle de drain continu : 52 A
• Tension VGS (Th) de seuil de porte : 4 V
• Sur-résistance le RDS (dessus) : 0,0055 Ω
• Charge Qg de porte : 25 OR
• Gfs en avant de Transconductance : 24,7 S
• Palladium de dissipation de puissance : 280 W
• Température de fonctionnement : -55 °C au°C 175
• Paquet : TO-252-3 (DPAK)
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