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Commutation de haute qualité à haute fréquence de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SI4488DY-T1-E3
Description de produit :
Le SI4488DY-T1-E3 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal construit par Vishay. Il a une tension de drain-source de 30V, une tension de porte-source de ±20V, un courant de drain de 61A, une résistance de sur-état de drain-source de 0.312mΩ, et une dissipation de puissance maximum de 85W. Ce transistor MOSFET est idéal pour des applications à hautes températures et à haute tension.
Caractéristiques :
• N-canal
• tension de la Drain-source 30V
• tension de Porte-source de ±20V
• courant du drain 61A
• résistance de Sur-état de la Drain-source 0.312mΩ
• dissipation de puissance 85W maximum
• Applications à hautes températures et à haute tension
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