Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Commutation de haute qualité à haute fréquence de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SI4488DY-T1-E3

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Commutation de haute qualité à haute fréquence de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SI4488DY-T1-E3

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Number modèle :SI4488DY-T1-E3
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :150 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :3.5A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :50 mOhms à 5 A, 10 V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :2V @ 250µA (minute)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :36 OR @ 10 V
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Commutation de haute qualité à haute fréquence de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SI4488DY-T1-E3

 

 

Description de produit :

Le SI4488DY-T1-E3 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal construit par Vishay. Il a une tension de drain-source de 30V, une tension de porte-source de ±20V, un courant de drain de 61A, une résistance de sur-état de drain-source de 0.312mΩ, et une dissipation de puissance maximum de 85W. Ce transistor MOSFET est idéal pour des applications à hautes températures et à haute tension.

 

Caractéristiques :

• N-canal
• tension de la Drain-source 30V
• tension de Porte-source de ±20V
• courant du drain 61A
• résistance de Sur-état de la Drain-source 0.312mΩ
• dissipation de puissance 85W maximum
• Applications à hautes températures et à haute tension

 

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