Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Commutation de rendement élevé de Vce de haute performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 basse (s'est reposé)

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Commutation de rendement élevé de Vce de haute performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 basse (s'est reposé)

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Number modèle :SIR466DP-T1-GE3
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :30 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :40A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :3.5mOhm @ 15A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :2,4 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :65 OR @ 10 V
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Commutation de rendement élevé de Vce de haute performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 basse (s'est reposé)

 

Description : Le transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 est un transistor MOSFET à haute tension de N-canal conçu pour fournir l'efficacité maximum dans un large éventail d'applications. Il comporte une basse sur-résistance de 4,0 ohms, la basse charge de porte de 8,7 OR, et une capacité de manipulation à forte intensité de 30A. Le paquet large de corps fournit la représentation et la fiabilité thermiques améliorées.

 

Caractéristiques :
- Basse Sur-résistance : 4,0 ohms
- Basse charge de porte : 8,7 OR
- Manipulation à forte intensité : 30A
- Paquet large de corps pour la représentation et la fiabilité thermiques améliorées

 

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