Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFP9240PBF MOSFET électronique de puissance haute efficacité et fiabilité pour toutes les applications

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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IRFP9240PBF MOSFET électronique de puissance haute efficacité et fiabilité pour toutes les applications

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Number modèle :IRFP9240PBF
Point d'origine :Mulit-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :Actif
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Nombre bas de produit :IRFP9240PBF
Vidangez la tension de source (Vdss) :200 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :12A (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :500mOhm @ 7.2A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :44 OR @ 10 V
Vgs (maximum) :±20V
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Liste de produits :

Nom du produit : MOSFET IRFP9240PBF

Description : L'IRFP9240PBF est un MOSFET à canal N, conçu pour fournir des performances élevées, une faible perte de puissance et un faible coût dans une variété d'applications.

Caractéristiques:

• Capacité de courant élevé
• RDS faible (activé)
• Faible charge à l'entrée
• Commutation à grande vitesse
• Faible résistance drain-source à l'état passant
• Impédance d'entrée élevée
• Faible capacité d'entrée
• Faible capacité de sortie
• Faible perte de puissance
• Faible résistance thermique
• Faible coût

Caractéristiques:

• Tension drain-source : 100 V
• Courant de drain continu : 28 A
• Résistance drain-source à l'état passant : 0,01 Ω
• Tension de seuil de grille : 4 V
• Tension de claquage drain-source : 140 V
• Dissipation de puissance maximale : 100 W
• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C à 150 °C
• Colis : TO-220AB

IRFP9240PBF MOSFET électronique de puissance haute efficacité et fiabilité pour toutes les applications

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