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Liste de produits :
MOSFET IRFI4212H-117P
Description du produit:
Ce MOSFET est un dispositif avancé haute tension, haute vitesse et faible résistance à l'état passant conçu pour les applications de commutation hautes performances.Il est construit avec la dernière technologie HEXFET et offre une efficacité supérieure, une faible charge de grille et des vitesses de commutation rapides.
Principales caractéristiques:
• Tension maximale de source de drain (VDS) : 600 V
• Courant de drain maximal (ID) : 112 A
• RDS maximal (activé) : 0,0095 Ω
• Courant de drain pulsé maximal (IDM) : 224 A
• Ciss : 1 808 pF
• Tension de seuil de porte (VGS) : 4 V
• Température de fonctionnement maximale (Tj) : 175 °C
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