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L'électronique de puissance du transistor MOSFET SI7615ADN-T1-GE3
Solutions de changement à forte intensité à haute tension d'alimentation d'énergie
Description :
Le SI7615ADN-T1-GE3 est un transistor MOSFET de N-canal conçu pour fournir la représentation supérieure dans un large éventail d'applications. Le dispositif comporte une basse sur-résistance et une basse charge de porte, le rendant idéal pour l'usage dans la commutation ultra-rapide et des convertisseurs de DC-DC.
Paramètres :
•VDS (maximum) : 280V
•Identification (maximum) : 8.3A
•Le RDS (dessus) (maximum) : 0.0088Ω
•Qg (maximum) : 13.4nC
•Qgd (maximum) : 2.6nC
•VGS (maximum) : ±20V
•Paquet : PowerPAK SO-8L
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