Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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L'électronique de puissance du transistor MOSFET SIRA20DP-T1-RE3
Solutions de changement de puissance de haute performance de rendement élevé
Description :
Ce transistor MOSFET de mode d'amélioration de N-canal est un transistor ultra-rapide et de basse tension avec d'excellentes caractéristiques de changement. Il est idéal pour la gestion de puissance et les applications de changement.
Paramètres :
- Tension d'opération : 20V
- Tension de Drain-source : 20V
- Tension de Porte-source : ±20V
- Courant continu de drain : 20A
- Dissipation de puissance : 140W
- Sur-résistance de Drain-source : 0.082Ohm
- Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à 150°C
- Type de paquet : TO-220
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