Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor MOSFET de N-canal de puissance élevée de transistor MOSFET d'IRF6218STRLPBF avec le bas sur la résistance

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Transistor MOSFET de N-canal de puissance élevée de transistor MOSFET d'IRF6218STRLPBF avec le bas sur la résistance

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Number modèle :IRF6218STRLPBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :99999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :cessé
Type de FET :Canal de P
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
tension de Drain-source (Vdss) :150V
Courant à 25°C - drain continu (identification) :27A (comité technique)
Conduisant la tension (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Liste de produit :

 

TRANSISTOR MOSFET D'IRF6218STRLPBF

 

Paramètres :

 

Tension de Drain-source (Vdss) : 200V
Vidangez le courant (identification) : 20A
Tension de Porte-source (Vgs) : 10V
P-canal
Sur-résistance de Drain-source (le RDS) : 0.027Ω
Dissipation de puissance maximum (palladium) : 350W
Temps de hausse/automne (tr/tf) : 10ns/20ns
Type de paquet : TO-220

 

 

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