Transistor MOSFET de puissance élevée d'IRFB3306PBF pour des applications de l'électronique de puissance

Transistor MOSFET de puissance élevée d'IRFB3306PBF pour des applications de l'électronique de puissance

Transistor MOSFET de puissance d'IRFB3306PBF

Paramètres :

VDS - 100V
Identification - 30A
Le RDS (dessus) - 0,0088 ohms
Fabricant : Redresseur international
Type de paquet : TO-220
Tension maximum de seuil de porte : 4V
Tension maximum de source de drain : 100V
Courant maximum de drain : 30A
Dissipation de puissance maximum : 13W
Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à 150°C
Montage du type : Par le trou

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