Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFBC20PBF MOSFET électronique de puissance haute efficacité courant élevé et faible résistance

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IRFBC20PBF MOSFET électronique de puissance haute efficacité courant élevé et faible résistance

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Number modèle :IRFBC20PBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :2.2A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :4.4Ohm @ 1.3A, 10V
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Électronique de puissance MOSFET IRFBC20PBF

Courant élevé à haut rendement et faible résistance à l'allumage

Description du produit

L'IRFBC20PBF est un MOSFET de puissance à canal N d'International Rectifier.Ce MOSFET de puissance présente une tension drain-source maximale de 200 V, un courant de drain maximal de 20 A et une dissipation de puissance maximale de 75 W.

Paramètres du produit

- Produit : MOSFET de puissance à canal N
- Fabricant : International Rectifier
- Numéro de pièce : IRFBC20PBF
- Tension maximale de la source de drain : 200 V
- Courant de drain maximal : 20 A
- Dissipation de puissance maximale : 75 W

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