Solution performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF6217TRPBF pour des applications à forte intensité

Solution performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET des forces de réaction immédiate 6217 TRPBF pour des applications à forte intensité

Paramètres :

• Paquet : TO-220
• Type de transistor : N-canal
• Vds – tension claque de Drain-source : 100V
• Identification – courant continu de drain : 25A
• Le RDS sur – la résistance de Drain-source : 0,02 ohms
• Vgs – tension de Porte-source : ±20V
• Dissipation de puissance : 80W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à +150°C
• Polarité : N-canal
• Montage du type : Par le trou

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