Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Commutation rapide de basse Sur-résistance à forte intensité de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF4905PBF

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Commutation rapide de basse Sur-résistance à forte intensité de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF4905PBF

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Number modèle :IRF4905PBF
Point d'origine :Multi-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :99999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :en stock
Type de FET :Canal de P
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
tension de Drain-source (Vdss) :55V
Courant à 25°C - drain continu (identification) :74A (comité technique)
Conduisant la tension (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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TRANSISTOR MOSFET D'IRF4905PBF

 

Description de produit :


L'IRF4905PBF est un transistor MOSFET performant de puissance, comportant la basse sur-résistance et les périodes de changement rapides. Ce transistor MOSFET convient pour l'usage dans des applications de gestion de puissance, des amplificateurs audio, des commandes de moteur, des alimentations d'énergie de changement, et d'autres applications à forte intensité.

 

Caractéristiques :


• Basse Sur-résistance
• Capacité à forte intensité
• Facilité de la parallélisation
• Périodes de changement rapides
• Basse charge de porte
• RoHS conforme
• Halogène libre

Caractéristiques :
• Tension de Drain-source : 100V
• Tension de Porte-source : ±20V
• Courant continu de drain : 30A
• Courant de drain d'impulsion : 120A
• Le RDS (dessus) : 0.076Ω
• Dissipation de puissance : 1.2W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à +150°C

 

 

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