Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Électronique de puissance MOSFET hautes performances IPW60R070C6 pour une efficacité et une fiabilité optimales

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Électronique de puissance MOSFET hautes performances IPW60R070C6 pour une efficacité et une fiabilité optimales

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Number modèle :IPW60R070C6
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :53A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :70mOhm @ 25.8A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3.5V @ 1.72mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :170 OR @ 10 V Vgs ±20V (maximum)
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Électronique de puissance MOSFET hautes performances IPW60R070C6 pour une efficacité et une fiabilité optimales

Description du produit:

L'IPW60R070C6 est un MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N.Ce dispositif est conçu pour résister à de fortes énergies dans les modes avalanche et commutation.Il est particulièrement adapté aux applications de commutation haute tension et haute vitesse.

Spécifications du produit:

• tension drain-source : 60 V
• courant de drain : 70 A
• résistance à l'état passant drain-source : 0,065 Ω
• tension grille-source : ±20 V
• puissance dissipée : 270 W
• plage de température de fonctionnement : -55 °C à 150 °C
• plage de température de stockage : -55 °C à 150 °C

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