Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IPW60R070P6 MOSFET Electronique de puissance Solution de commutation basse tension haute performance à haut rendement

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IPW60R070P6 MOSFET Electronique de puissance Solution de commutation basse tension haute performance à haut rendement

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Number modèle :IPW60R070P6
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :600V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :53.5A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :70mOhm @ 20.6A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4.5V @ 1.72mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :100 OR @ 10 V
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IPW60R070P6 MOSFET Electronique de puissance Solution de commutation basse tension haute performance à haut rendement

Description du produit:

L'IPW60R070P6 est un MOSFET à canal N, conçu pour être utilisé dans des applications telles que la gestion de l'alimentation, la commande de moteur et la commutation de charge.Le dispositif présente une tension de seuil de grille de niveau logique et est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant et la charge de grille.

Caractéristiques du produit:

* Tension de seuil de niveau logique
* Faible résistance à l'état passant
* Faible charge à l'entrée
* Conforme RoHS

Caractéristiques:

* Tension drain-source (VDS) : 60 V
* Tension porte-source (VGS) : ± 20 V
* RDS (activé) : 0,07 Ω
* ID : 60A
* Dissipation de puissance (PD) : 385 W
* Plage de température de fonctionnement : -55°C à +175°C
* Température maximale de jonction (Tj) : +175°C
* Type de paquet : D2PAK.

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