Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRLML0100TRPBF MOSFET Haute Performance Haute Efficacité Faible RDS(ON) Électronique de Puissance

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IRLML0100TRPBF MOSFET Haute Performance Haute Efficacité Faible RDS(ON) Électronique de Puissance

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Number modèle :IRLML0100TRPBF
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) :100 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :1.6A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :220mOhm @ 1.6A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :2.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :2,5 OR @ 4,5 V
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IRLML0100TRPBF Électronique de puissance MOSFET haute performance haute efficacité faible RDS(ON)

Liste de produits :

MOSFET IRLML0100TRPBF

Description du produit:
Il s'agit d'un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à basse tension et à courant élevé.Il est conçu pour être utilisé dans des applications telles que les amplificateurs audio, les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur CC, la gestion de la batterie et les circuits de gestion de l'alimentation.

Caractéristiques:
- RDS à faible résistance (on): 0.0075Ω @ VGS = 10V
- Courant de drain maximal : 6,5 A
-Tension maximale de la source de vidange : 30 V
- Tension de seuil de porte maximale : 4 V
- Température maximale de jonction de fonctionnement : 175 °C
- Classement MSL : MSL1
- Type de colis : SOT-23

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