Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solution performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IPW65R110CFD pour le contrôle d'automation

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Solution performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IPW65R110CFD pour le contrôle d'automation

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Number modèle :IPW65R110CFD
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Tension de Drain-source (VDS) :30V
Tension de Porte-source (VGS) :±20V
Courant continu de drain (identification) :110A
Sur-résistance de Drain-source (le RDS (dessus)) :0.0065Ω
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C
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Solution performantede l'électronique de puissancede transistor MOSFET d'IPW 65R110CFD pour le contrôle d'automation

 

 

Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'IPW65R110CFD

Description de produit :

Le transistor MOSFET de puissance de N-canal d'IPW65R110CFD est un ultra-rapide, dispositif de bas-perte conçu pour l'usage dans des applications de gestion de puissance où une basse sur-résistance est désirée. Ce transistor MOSFET comporte un conducteur intégré de porte, qui fournit une solution de changement rapide et robuste. Avec son bas RDS (dessus) et des capacités de manipulation actuelles du côté haut, l'IPW65R110CFD est idéal pour un large éventail d'applications.

 

Caractéristiques du produit :

• Commutation ultra-rapide
• Basse Sur-résistance
• Conducteur intégré de porte
• Capacité de manipulation actuelle du côté haut
• RoHS conforme

 

Spécifications produit :

• Tension de Drain-source (VDS) : 30V
• Tension de Porte-source (VGS) : ±20V
• Courant continu de drain (identification) : 110A
• Sur-résistance de Drain-source (le RDS (dessus)) : 0.0065Ω
• Paquet : TO-252 (D-PAK)
• Température de fonctionnement : -55°C à 150°C

 

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