Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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SI5855CDC-T1-E3 : L'électronique de puissance à forte intensité de transistor MOSFET pour la représentation fiable

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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SI5855CDC-T1-E3 : L'électronique de puissance à forte intensité de transistor MOSFET pour la représentation fiable

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Number modèle :SI5855CDC-T1-E3
Point d'origine :Mult-origine
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1-7days
Détails de empaquetage :Norme
Statut de produit :Obsolète
Type de FET :P-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :3.7A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V
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Liste de produit :

Nom de produit : SI5855CDC-T1-E3
Type de produit : Transistor MOSFET
Configuration : Simple
Vidangez à la tension de source (Vdss) : 55V
Porte à la tension de source (Vgss) : ±20V
Courant continu de drain (identification) : 4A
Dissipation de puissance maximum (palladium) : 1.5W
Le RDS (dessus) : 0.05Ω
Assortiment du RDS (dessus) : 2mΩ
Chaîne de température de fonctionnement : -55°C à +150°C
La température de jonction maximum (Tj) : °C 175

 

 

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