Commutation performante de puissance faible de l'électronique de puissance du transistor MOSFET AO3414

Transistor MOSFET de mode d'amélioration du N-canal AO3414

Caractéristiques :

• Conception à haute densité de cellules pour la basse Sur-résistance
• Basse capacité d'entrée et commutation rapide
• RoHS conforme
• L'avalanche 100% a examiné
• Sans Pb

Capacités absolues :

• Tension de Drain-source : 30V
• Tension de Porte-source : 20V
• Vidangez actuel : 5.5A
• Dissipation de puissance : 3.5W
• Température de fonctionnement : -55°C à 150°C
• Température de stockage : -55°C à 150°C
• La température d'avance (soudure, sec 10) : 300°C

Caractéristiques électriques :

• Tension claque de Drain-source : 35V
• Tension de seuil de porte : 2.5V
• Sur-résistance (VGS = 10V) : 0.025Ω
• Sur-résistance (VGS = 4.5V) : 0.045Ω
• Sur-résistance (VGS = 2.5V) : 0,1

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