L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFP3206PBF Basse résistance à forte intensité à haute tension

Résistance à forte intensité à haute tension de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFP3206PBF basse

Transistor MOSFET d'IRFP3206PBF, N-canal, 200V, 69A, 55mOhm

Description de produit :

Le transistor MOSFET d'IRFP3206PBF est un transistor MOSFET très efficace de N-canal conçu pour l'usage dans des applications de changement de puissance élevée. Ce dispositif offre une estimation de tension de la drain-source 200V et un courant maximum de drain de 69A. Il fournit également une basse sur-résistance de 55mOhm. Ce transistor MOSFET convient à un grand choix d'applications qui exigent la commutation de puissance élevée.

Caractéristiques :

- Transistor MOSFET de N-canal
- Tension de Drain-source : 200V
- Courant maximum de drain : 69A
- Sur-résistance : 55mOhm
- Rendement élevé
- Étendue des applications large

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