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NTA 7002 NT1 solution de commutation de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET deG SC-75
Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4.5V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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7Ohm @ 154mA, 4.5V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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1.5V @ 100µA
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Vgs (maximum)
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±10V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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20 PF @ 5 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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300mW (Tj)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SC-75, SOT-416
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Paquet/cas
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1. Le NTA7002NT1G est un transistor MOSFET de P-canal de SUR semi-conducteur. C'est un dispositif de puissance logé dans un paquet SC-75 avec une dissipation de puissance maximum de 2W. Ce transistor MOSFET a une basse sur-résistance de 4.5Ohms et une tension claque de -20V. C'est un choix idéal pour la diverse commutation et les applications linéaires, aussi bien que pour la gestion de puissance et la protection de batterie.
2. Le transistor MOSFET de NTA7002NT1G est construit pour les applications performantes qui exigent la basse sur-résistance et une estimation à forte intensité. Il a également un processus avancé de fabrication qui assure la basse charge de porte, la basse capacité d'entrée et la basse capacité de sortie. Ceci le rend approprié aux applications de changement ultra-rapides.
3. Le transistor MOSFET de NTA7002NT1G comporte une conception performante et de basse puissance qui convient à un large éventail d'applications. Ce transistor MOSFET peut manipuler jusqu'à 2A du courant continu, et sa basse sur-résistance assure une baisse de basse tension, perte de puissance de réduction. Ce transistor MOSFET est également RoHS conforme et UL certifiée, lui faisant un choix fiable pour le multiple
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