Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solution de commutation de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTA7002NT1G SC-75

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Solution de commutation de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTA7002NT1G SC-75

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Number modèle :NTA7002NT1G
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :30 V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±10V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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NTA 7002 NT1 solution de commutation de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET deG SC-75

 

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
7Ohm @ 154mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
1.5V @ 100µA
Vgs (maximum)
±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
20 PF @ 5 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
300mW (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
SC-75, SOT-416
Paquet/cas

 

 

 

1. Le NTA7002NT1G est un transistor MOSFET de P-canal de SUR semi-conducteur. C'est un dispositif de puissance logé dans un paquet SC-75 avec une dissipation de puissance maximum de 2W. Ce transistor MOSFET a une basse sur-résistance de 4.5Ohms et une tension claque de -20V. C'est un choix idéal pour la diverse commutation et les applications linéaires, aussi bien que pour la gestion de puissance et la protection de batterie.

 

 

2. Le transistor MOSFET de NTA7002NT1G est construit pour les applications performantes qui exigent la basse sur-résistance et une estimation à forte intensité. Il a également un processus avancé de fabrication qui assure la basse charge de porte, la basse capacité d'entrée et la basse capacité de sortie. Ceci le rend approprié aux applications de changement ultra-rapides.

 

 

3. Le transistor MOSFET de NTA7002NT1G comporte une conception performante et de basse puissance qui convient à un large éventail d'applications. Ce transistor MOSFET peut manipuler jusqu'à 2A du courant continu, et sa basse sur-résistance assure une baisse de basse tension, perte de puissance de réduction. Ce transistor MOSFET est également RoHS conforme et UL certifiée, lui faisant un choix fiable pour le multiple

 

 

 

 

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Solution de commutation de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTA7002NT1G SC-75

 

 

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