Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Applications de haute performance de transistor de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR5198NLT1G TO-236-3

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Pays / Région:china
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Applications de haute performance de transistor de paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR5198NLT1G TO-236-3

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Number modèle :NTR5198NLT1G
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :60V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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NTR 5198 AVANT la 1 électronique de puissance de transistor MOSFET deG

Applications de haute performance de transistor du paquet TO-236-3

 

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
155mOhm @ 1A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
2,8 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
182 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
900mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Paquet/cas

 

 

 

 

 

Ce NTR 5198 AVANT la 1 électronique de puissance de transistor MOSFET deG est des 3- paquet de la goupille TO-236-3. Il offre le rendement élevé et la basse sur-résistance tout en fonctionnant à une basse tension. Il convient aux applications telles que des commutateurs électriques, des conducteurs de moteur et des conducteurs de solénoïde. Ce dispositif a une tension claque élevée de 30V, qui fournit un de plus haut niveau de la protection pour le système. Il a également une charge optimisée de porte pour la perte réduite de conduction et la représentation de changement améliorée. Le dispositif est un transistor MOSFET de N-canal optimisé pour des applications de changement de basse tension. C'est RoHS conforme et est offert dans un paquet sans plomb. Ce dispositif est idéal pour la commutation à haute fréquence et peut actionner aux fréquences jusqu'à 10mégahertz.

 

 

 

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