Solution fiable TO-236-3 d'alimentation d'énergie de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDN338P

Solution fiable TO-236-3 d'alimentation d'énergie de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDN338P

Le FDN 338P est un transistor MOSFET de haute puissance d'amélioration-mode de N-canal avec un paquet TO-236-3. Il est conçu pour la basse tension, applications de changement à forte intensité et ultra-rapides. Il comporte la basse résistance de sur-état, l'opération à haute fréquence et la basse puissance d'entraînement de porte. Avec une tension claque de drain-source de 100V, ce transistor MOSFET peut manipuler une tension de sortie de jusqu'à 80V. La capacité à forte intensité du FDN 338P lui permet de soutenir des applications de rendement élevé et de densité de puissance. Les vitesses de changement rapides du transistor MOSFET et de l'impédance élevée d'entrée permettre l'opération ultra-rapide et les basses pertes de changement. Le paquet TO-236-3 fournit une empreinte de pas qui fait gagner de la place pour le transistor MOSFET, la rendant appropriée aux applications à haute densité. Le FDN 338P convient pour l'usage dans des applications des véhicules à moteur, industrielles, et du consommateur.

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