China Mm20 simples V 3,6 A du N-canal 2,4 x 2,9 de puissance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR3C21NZT1G SOT-23 1,0 x wholesale

Mm20 simples V 3,6 A du N-canal 2,4 x 2,9 de puissance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR3C21NZT1G SOT-23 1,0 x

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Number modèle :NTR3C21NZT1G

Point d'origine :Original

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :999999

Délai de livraison :1-3 jours

Détails de empaquetage :Norme

Vidangez à la tension de source (Vdss) :20 V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :3.6A (ventres)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :24mOhm @ 5A, 4.5V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :OR 17,8 @ 4,5 V

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Mm20 simples V 3,6 A du N-canal 2,4 x 2,9 de puissance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR 3C21NZT 1G SOT-23 1,0 x

Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	3.6A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	24mOhm @ 5A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	OR 17,8 @ 4,5 V
Vgs (maximum)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	1540 PF @ 16 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	470mW (ventres)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Paquet/cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Liste de produit :

SUR l'électronique de puissance de transistor MOSFET du semi-conducteur NTR3C21NZT1G SOT-23

Caractéristiques :
• Basse Sur-résistance
• Basse capacité d'entrée
• Basse fuite d'entrée et sortie
• Basse charge de porte
• Basse tension de seuil
• Protection d'ESD

Applications :
• Des véhicules à moteur
• Gestion de batterie
• Convertisseurs
• Industriel
• Contrôle de moteur
• Gestion de puissance de système

Caractéristiques :
• Paquet : SOT-23
• Configuration : N-canal
• Polarité de transistor : N-canal
• Tension de Drain-source (Vdss) : 30 V
• Tension de Porte-source (Vgs) : ±20 V
• Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : -0,2 A
• Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 0,0085 ohms @ 0,2 A, 10 V
• Puissance - maximum : 350 mW
• Température de fonctionnement : -55°C à 175°C (TJ)
• Montage du type : Bâti extérieur
• Paquet de dispositif de fournisseur : SOT-23
• Palladium - dissipation de puissance

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L'électronique de puissance de transistor MOSFET

Module d'alimentation d'IGBT

Transistor de diode d'IC

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