Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor de mode d'amélioration de N-canal de l'électronique de puissance du transistor MOSFET 2V7002KT1G TO-236-3 sur l'application d'efficacité de résistance

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Pays / Région:china
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Transistor de mode d'amélioration de N-canal de l'électronique de puissance du transistor MOSFET 2V7002KT1G TO-236-3 sur l'application d'efficacité de résistance

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Number modèle :2V7002KT1G
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :60V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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2l'électronique de puissancede transistor MOSFETdeV7002 KT1G
Transistor de mode d'amélioration du N-canal TO-236-3 sur des applications d'efficacité de résistance

 

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
0,7 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
24,5 PF @ 20 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
300mW (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Paquet/cas

 

 

 

 

L'électronique de puissance de transistor MOSFET 2V7002 KT1G est un type transistor MOSFET du paquet TO-236-3. C'est un transistor MOSFET de mode d'amélioration de n-canal, optimisé pour des applications de changement. Il a une basse sur-résistance de 0,0068 ohms, qui peuvent réduire des pertes de puissance dans le circuit. Il a également une tension maximum de drain-source de 200V et un courant maximum de drain de 2A. Il a une impédance élevée d'entrée et la protection d'ESD, le rendant approprié pour l'usage dans des applications de changement à grande vitesse. Le paquet est RoHS conforme, lui faisant une option favorable à l'environnement. Ce dispositif est parfait pour l'usage dans des applications de gestion et de contrôle de puissance.

 

 

 

 

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Transistor de mode d'amélioration de N-canal de l'électronique de puissance du transistor MOSFET 2V7002KT1G TO-236-3 sur l'application d'efficacité de résistance

 

 

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