Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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HautQualitéSOT-223EmballerVNF6P02J3gMSEFHEPouvoirÉlectroniqueCanal P -10 A -20 V
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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2.5V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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50 mOhms à 6 A, 4,5 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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1V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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20 nC à 4,5 V
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Vg (Max)
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±8V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1200 pF à 16 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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8.3W (Ta)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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SOT-223 (TO-261)
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Paquet/caisse
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Description du produit:
Le ON Semiconductor NVF6P02T3G est un dispositif d'électronique de puissance MOSFET à canal N.Cet appareil est conçu pour fonctionner à partir d'un seuil de grille de 6 V et présente une faible résistance à l'état passant de 2,3 mΩ à une tension drain-source de 10 V.Le paquet est SOT-223.
Caractéristiques du produit:
• MOSFET canal N
• Seuil de porte 6 V
• Faible résistance à l'état passant de 2,3 mΩ à une tension drain-source de 10 V
• Colis : SOT-223
• Fabricant : ON Semiconductor
