Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Amplification de commutation de haute performance de transistor de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDB110N15A TO-263-3

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Amplification de commutation de haute performance de transistor de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDB110N15A TO-263-3

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Number modèle :FDB110N15A
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :150V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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FDB 110N15une électronique de puissance de transistor MOSFET
Amplification de commutation de haute performance du transistor TO-263-3

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
11mOhm @ 92A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
61 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
4510 PF @ 75 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
234W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
² PAK (TO-263) DE D
Paquet/cas

 

 

 

 

Le FDB110N15A est un appareil électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal construit par le semi-conducteur de Fairchild. Ce dispositif est logé dans TO-263-3 un paquet, qui est un petit paquet surface-montable qui fournit le bas-profil, représentation thermique augmentée.

 

 

Le FDB110N15A est conçu pour fournir la puissance élevée dans un paquet compact. Il comporte une basse sur-résistance qui permet de basses pertes de conduction, et une basse charge de porte qui réduit commuter des pertes. En plus, ce dispositif est conçu pour fournir les vitesses de changement rapides et la basse charge de porte pour l'opération efficace de commutateur.

 

 

Le FDB110N15A est idéal pour l'usage dans un grand choix d'applications telles que des convertisseurs de DC/DC, la compensation de phase, le contrôle de moteur, le contrôle d'éclairage, et d'autres applications de haute puissance. Ce dispositif est RoHS conforme et répond à des normes de sécurité d'UL et de CSA pour l'opération fiable.

 

 

 

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Amplification de commutation de haute performance de transistor de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDB110N15A TO-263-3

 

 

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