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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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11mOhm @ 92A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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61 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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4510 PF @ 75 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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234W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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² PAK (TO-263) DE D
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Paquet/cas
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Le FDB110N15A est un appareil électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal construit par le semi-conducteur de Fairchild. Ce dispositif est logé dans TO-263-3 un paquet, qui est un petit paquet surface-montable qui fournit le bas-profil, représentation thermique augmentée.
Le FDB110N15A est conçu pour fournir la puissance élevée dans un paquet compact. Il comporte une basse sur-résistance qui permet de basses pertes de conduction, et une basse charge de porte qui réduit commuter des pertes. En plus, ce dispositif est conçu pour fournir les vitesses de changement rapides et la basse charge de porte pour l'opération efficace de commutateur.
Le FDB110N15A est idéal pour l'usage dans un grand choix d'applications telles que des convertisseurs de DC/DC, la compensation de phase, le contrôle de moteur, le contrôle d'éclairage, et d'autres applications de haute puissance. Ce dispositif est RoHS conforme et répond à des normes de sécurité d'UL et de CSA pour l'opération fiable.
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