Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NVTR0202PLT1G MOSFET électronique de puissance double canal N Mode d'amélioration Transistor à effet de champ 20V 2A TO-236-3 paquet

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NVTR0202PLT1G MOSFET électronique de puissance double canal N Mode d'amélioration Transistor à effet de champ 20V 2A TO-236-3 paquet

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Number modèle :NVTR0202PLT1G
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :20V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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Électronique de puissance MOSFET NVTR0202PLT1G
Transistor à effet de champ à double canal N en mode d'amélioration 20V 2A TO-236-3

Type FET
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhms à 200 mA, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,3 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2,18 nC à 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
70 pF à 5 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
225mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Paquet/caisse

LeVNTR0202PLJ1gestunP-CanaliserRenforcementModeVerticalChamp-EffetTransistor(VFHE),quiestconçuspécifiquementpourhaut-fréquence,faible-voltâgeapplications.Ceappareilestconstruiten utilisantuntrèsfiableMSEFHEprocessus,quifournitfaiblesur-Étatrésistanceetexcellentcommutationperformance.LeappareilestlogédansunPOUR-236-3emballeretfournitunfaible-voltâgeopérationgammede-0.2Vpour-20Vetunfaibleportail-sourceseuiltensionde-0.5V.Ilestidéalpourhaut-fréquencecommutationcircuitsetfournithautactuelmanutentionaptitude.Leappareilaussides offressupérieurpouvoirefficacité,faibleEMI,etminimalpouvoirinsulteripation.

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