Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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2,8 mOhms à 24 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3V @ 1mA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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47 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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3000 pF à 15 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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8-PQFN (5x6)
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Paquet/caisse
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Liste de produits :
MOSFET en mode d'amélioration du canal N FDMS8025S
Fabricant : ON Semiconductor
Paramètres:
• Tension drain-source : -20 V
• Courant de drain continu : -25 A
• RDS (activé) : -25 mOhms
• Dissipation de puissance : -60 W
• Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C
• Conditionnement : -TO-263
