Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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1.2V, 4.5V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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40mOhm @ 3A, 4.5V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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800mV @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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15 OR @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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±8V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1157 PF @ 6 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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700mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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6-WDFN (2x2)
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Paquet/cas
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Le NTLJS 2103 PTBG est un transistor MOSFET performant de puissance d'amélioration-mode d'épuisement-mode conçu pour fournir la conversion de puissance fiable et efficace dans des applications de changement d'usage universel et ultra-rapides. Il a une basse sur-résistance, une basse porte-charge et une basse capacité, tenant compte d'une meilleure efficacité de puissance et des vitesses de changement plus rapides.
Le NTLJS 2103 PTBG est disponible dans des 6- le paquet de WDFN, qui est conçu pour réduire la résistance thermique et pour réduire au minimum la dissipation de puissance, tenant compte d'une meilleure représentation de refroidissement. Il est également RoHS-conforme et a une température de fonctionnement maximum du°C jusqu'à 150, le rendant approprié aux applications à hautes températures. Ce dispositif est capable de l'opération jusqu'à 20V, la rendant optimale pour des applications à haute tension. En plus, il comporte une basse tension de seuil et un grand choix de tension, tenant compte d'une plus grande flexibilité dans la conception.
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