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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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1.5V, 4.5V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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1V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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0,7 OR @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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±8V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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15,8 PF @ 15 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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120mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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3-XLLGA (0.62x0.62)
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Paquet/cas
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Le NTNS 3193 NZT 5G est un dispositif ultra-rapide de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal conçu pour l'usage dans des applications de changement à haute fréquence. Il comporte une basse résistance de sur-état, une vitesse de changement rapide et une tension claque élevée pour la représentation robuste.
Les 3- le paquet de XFLGA fournit l'excellente gestion thermique et une conception de profil bas pour l'intégration facile dans un grand choix d'applications. Le NTNS 3193 NZT 5G est idéal pour l'usage dans des applications de changement ultra-rapides telles que des convertisseurs de DC/DC, des alimentations d'énergie, le contrôle de moteur et l'éclairage de LED.
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