Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Rendement élevé du N-canal 80V TrenchFET 8-PowerTDFN de l'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDMS7680 double

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Rendement élevé du N-canal 80V TrenchFET 8-PowerTDFN de l'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDMS7680 double

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Number modèle :FDMS7680
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :999999
Délai de livraison :1 - 3 jours
Détails de empaquetage :Norme
Type de FET :N-canal
technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :30V
Montage du type :Bâti extérieur
Vgs (maximum) :±20V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
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L'électronique de transistor MOSFET de la puissance FDMS7680
Double rendement élevé du N-canal 80V TrenchFET 8-PowerTDFN

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
6.9mOhm @ 14A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
28 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1850 PF @ 15 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (merci), 33W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
8-PQFN (5x6)
Paquet/cas

 

 

 

Le FDMS7680 est un dispositif avancé de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal. Il est logé dans un paquet 8-PowerTDFN, le rendant idéal pour un large éventail d'applications. Le FDMS7680 est conçu pour fournir le rendement élevé et les basses pertes de changement. Le dispositif est optimisé pour fournir la basse charge de porte et basse la capacité de sortie, le rendant idéal pour des applications de changement.

 

 

 

Le FDMS7680 comporte une basse résistance de sur-état qui peut réduire des pertes de conduction et réduire au minimum la dissipation de puissance, lui faisant un choix idéal pour des applications de gestion de puissance. Le dispositif est également RoHS conforme, lui faisant une option favorable à l'environnement.

 

 

 

 

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