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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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22mOhm @ 8A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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33 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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2110 PF @ 75 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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3.1W (merci), 132W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-252AA
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Paquet/cas
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Le FDD 86250 est un trois-terminal, le transistor d'effet de champ de Métal-Oxyde-semi-conducteur de puissance de N-canal (transistor MOSFET) conçu pour fonctionner dans un large éventail d'applications de changement de puissance. Il est logé dans un paquet TO-252-3, le rendant idéal pour l'usage dans les systèmes électroniques compacts et qui fait gagner de la place. Ce transistor MOSFET comporte une estimation élevée de tension de blocage de 600V et une basse résistance de sur-état de 0,072 ohms.
Il a une estimation actuelle de drain continu de 25A et un courant maximum d'impulsion de 78A, la rendant appropriée aux applications de changement de haute puissance. Le FDD 86250 comporte également une vitesse de changement rapide pour l'efficacité de système augmentée aussi bien qu'une basse charge de porte pour la puissance réduite. Sa conception avancée assure la représentation fiable en un large éventail de conditions de fonctionnement.
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