Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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160mOhm @ 13A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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60 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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3185 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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265W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-220-3
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Paquet/cas
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Liste de produit : FDP26N40
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Description de produit : C'est un transistor de puissance de transistor MOSFET de N-canal avec une estimation de VDS de 400V et une estimation d'identification de 26A. Il a un RDS (dessus) de 0.19Ω et une température de fonctionnement maximum de 175°C. Il comporte une capacité de changement ultra-rapide, une basse charge de porte et une basse résistance de sur-état.
Caractéristiques :
• transistor de puissance de transistor MOSFET de N-canal
• Estimation de VDS de 400V
• Estimation d'identification de 26A
• Le RDS (dessus) de 0.19Ω
• Température de fonctionnement maximum de 175°C
• Capacité de changement ultra-rapide
• Basse charge de porte
• Basse résistance de sur-état
